Polypropylene Snubber Capacitors ہائی وولٹیج، ہائی کرنٹ اور ہائی پلس ایپلی کیشنز میں استعمال ہوتے ہیں

مختصر کوائف:

Axial Snubber capacitor SMJ-TE

Snubber Capacitors محوری ٹرمینلز کے ساتھ اعلی موجودہ، اعلی تعدد کیپسیٹرز ہیں۔Axial Film Capacitors CRE پر دستیاب ہیں۔ہم Axial Film Capacitors کے لیے انوینٹری، قیمتوں کا تعین، اور ڈیٹا شیٹس پیش کرتے ہیں۔

1. ISO9001 اور UL تصدیق شدہ؛

2. وسیع انوینٹری؛

ہمیں ای میل بھیجیں۔ PDF کے طور پر ڈاؤن لوڈ کریں۔

مصنوعات کی تفصیل

پروڈکٹ ٹیگز

تکنیکی ڈیٹا

آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد	زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت، اوپر، زیادہ سے زیادہ: + 85℃ اوپری زمرہ کا درجہ حرارت: +85℃ لوئر زمرے کا درجہ حرارت: -40℃
اہلیت کی حد	0.1μF～5.6μF
وولٹیج کی درجہ بندی	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J)؛ ±10%(K)
وولٹیج کا مقابلہ کریں۔	1.5Un DC/10S
کھپت کا عنصر	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
موصلیت مزاحمت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S پر) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S پر)
ہڑتال کرنٹ کو برداشت کریں۔
زندگی کی امید	100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)
حوالہ معیار	IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

درخواست

1. IGBT Snubber، GTO سنبر

2. سنبر کا بنیادی کام پاور سرکٹ میں رد عمل سے توانائی جذب کرنا ہے۔

3. یہ بڑے پیمانے پر بجلی کے الیکٹرانک آلات میں استعمال کیا جاتا ہے جب چوٹی وولٹیج، چوٹی موجودہ جذب تحفظ.

خاکہ ڈرائنگ

SMJ-TE محوری کپیسیٹر
وولٹیج		Un630V.DC؛ Urms400Vac؛ Us 945V
اہلیت (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ملی میٹر)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
وولٹیج		Un 1000V.DC؛ Urms 500Vac؛ Us 1500V
اہلیت (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ملی میٹر)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
وولٹیج		Un 1200V.DC؛ Urms 550Vac؛ Us 1800V
اہلیت (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ملی میٹر)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2
وولٹیج		Un 1700V.DC؛ Urms 600Vac؛ Us 2550V
اہلیت (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ملی میٹر)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
وولٹیج		Un 2000V.DC؛ Urms 700Vac؛ Us 3000V
اہلیت (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ملی میٹر)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
وولٹیج		Un 3000V.DC؛ Urms 750Vac؛ Us 4500V
اہلیت (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ملی میٹر)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5