ویلڈنگ مشین (SMJ-TC) کے لیے ہائی کرنٹ فلم کیپیسیٹر سنبر

ویلڈنگ مشین (SMJ-TC) کے لیے ہائی کرنٹ فلم کیپیسیٹر سنوبر نمایاں تصویر

مختصر کوائف:

Capacitor ماڈل: SMJ-TC

خصوصیات:

1. تانبے کے گری دار میوے کے الیکٹروڈ

2. چھوٹے جسمانی سائز اور آسان تنصیب

3. Mylar ٹیپ سمیٹ ٹیکنالوجی

4. خشک رال بھرنا

5. کم مساوی سیریز انڈکٹنس (ESL) اور مساوی سیریز مزاحمت (ESR)

درخواستیں:

1. GTO Snubber

2. چوٹی وولٹیج اور چوٹی موجودہ جذب اور الیکٹرانک آلات میں سوئچنگ اجزاء کے لیے تحفظ

سوئچنگ سرکٹس میں استعمال ہونے والے ڈایڈس کے لیے سنبر سرکٹس ضروری ہیں۔یہ ایک ڈائیوڈ کو اوور وولٹیج اسپائکس سے بچا سکتا ہے، جو ریورس ریکوری کے عمل کے دوران پیدا ہو سکتا ہے۔

ہمیں ای میل بھیجیں۔ PDF کے طور پر ڈاؤن لوڈ کریں۔

مصنوعات کی تفصیل

پروڈکٹ ٹیگز

تکنیکی ڈیٹا

آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد	زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت، اوپر، زیادہ سے زیادہ: + 85℃ اوپری زمرہ کا درجہ حرارت: +85℃ لوئر زمرے کا درجہ حرارت: -40℃
اہلیت کی حد	0.22～3μF
وولٹیج کی درجہ بندی	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J)؛ ±10%(K)
وولٹیج کا مقابلہ کریں۔	1.35Un DC/10S
کھپت کا عنصر	tgδ≤0.001 f=1KHz
موصلیت مزاحمت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S پر) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S پر)
ہڑتال کرنٹ کو برداشت کریں۔	ڈیٹا شیٹ دیکھیں
زندگی کی امید	100000h(Un؛ Θhotspot≤70°C)
حوالہ معیار	IEC 61071 ;

فیچر

1. Mylar ٹیپ، رال کے ساتھ مہربند؛

2. کاپر نٹ لیڈز؛

3. ہائی وولٹیج کے خلاف مزاحمت، کم tgδ، کم درجہ حرارت میں اضافہ؛

4. کم ESL اور ESR؛

5. ہائی پلس کرنٹ۔

درخواست

1. GTO Snubber.

2. بڑے پیمانے پر بجلی کے الیکٹرانک آلات میں استعمال کیا جاتا ہے جب چوٹی وولٹیج، چوٹی موجودہ جذب تحفظ.

عام سرکٹ

خاکہ ڈرائنگ

تفصیلات

Un=3000V.DC
اہلیت (μF)	φD (ملی میٹر)	L(mm)	L1(ملی میٹر)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
اہلیت (μF)	φD (ملی میٹر)	L(mm)	L1(ملی میٹر)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
اہلیت (μF)	φD (ملی میٹر)	L(mm)	L1(ملی میٹر)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
اہلیت (μF)	φD (ملی میٹر)	L(mm)	L1(ملی میٹر)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
اہلیت (μF)	φD (ملی میٹر)	L(mm)	L1(ملی میٹر)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70