• بی بی بی

ویلڈنگ مشین (SMJ-TC) کے لیے ہائی کرنٹ فلم کیپیسیٹر سنبر

مختصر کوائف:

Capacitor ماڈل: SMJ-TC

خصوصیات:

1. تانبے کے گری دار میوے کے الیکٹروڈ

2. چھوٹے جسمانی سائز اور آسان تنصیب

3. Mylar ٹیپ سمیٹ ٹیکنالوجی

4. خشک رال بھرنا

5. کم مساوی سیریز انڈکٹنس (ESL) اور مساوی سیریز مزاحمت (ESR)

درخواستیں:

1. GTO Snubber

2. چوٹی وولٹیج اور چوٹی موجودہ جذب اور الیکٹرانک آلات میں سوئچنگ اجزاء کے لیے تحفظ

 

سوئچنگ سرکٹس میں استعمال ہونے والے ڈایڈس کے لیے سنبر سرکٹس ضروری ہیں۔یہ ایک ڈائیوڈ کو اوور وولٹیج اسپائکس سے بچا سکتا ہے، جو ریورس ریکوری کے عمل کے دوران پیدا ہو سکتا ہے۔


پروڈکٹ کی تفصیل

پروڈکٹ ٹیگز

تکنیکی ڈیٹا

آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت، اوپر، زیادہ سے زیادہ: + 85℃ اوپری زمرہ کا درجہ حرارت: +85℃ لوئر زمرے کا درجہ حرارت: -40℃
اہلیت کی حد

0.22~3μF

وولٹیج کی درجہ بندی

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(J)؛ ±10%(K)

وولٹیج کا مقابلہ کریں۔

1.35Un DC/10S

کھپت کا عنصر

tgδ≤0.001 f=1KHz

موصلیت مزاحمت

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S پر)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S پر)

ہڑتال کرنٹ کو برداشت کریں۔

ڈیٹا شیٹ دیکھیں

زندگی کی امید

100000h(Un؛ Θhotspot≤70°C)

حوالہ معیار

IEC 61071 ;

فیچر

1. Mylar ٹیپ، رال کے ساتھ مہربند؛

2. کاپر نٹ لیڈز؛

3. ہائی وولٹیج کے خلاف مزاحمت، کم tgδ، کم درجہ حرارت میں اضافہ؛

4. کم ESL اور ESR؛

5. ہائی پلس کرنٹ۔

درخواست

1. GTO Snubber.

2. بڑے پیمانے پر بجلی کے الیکٹرانک آلات میں استعمال کیا جاتا ہے جب چوٹی وولٹیج، چوٹی موجودہ جذب تحفظ.

عام سرکٹ

1

خاکہ ڈرائنگ

2

تفصیلات

Un=3000V.DC

اہلیت (μF)

φD (ملی میٹر)

L(mm)

L1(ملی میٹر)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

اہلیت (μF)

φD (ملی میٹر)

L(mm)

L1(ملی میٹر)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

اہلیت (μF)

φD (ملی میٹر)

L(mm)

L1(ملی میٹر)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

اہلیت (μF)

φD (ملی میٹر)

L(mm)

L1(ملی میٹر)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

اہلیت (μF)

φD (ملی میٹر)

L(mm)

L1(ملی میٹر)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


  • پچھلا:
  • اگلے:

  • اپنا پیغام ہمیں بھیجیں:

    اپنا پیغام یہاں لکھیں اور ہمیں بھیجیں۔

    اپنا پیغام ہمیں بھیجیں: